Molekulární síto 4A a molekulární síto 13X

Chemický vzorec 4A molekulového síta: Na₂O·Al₂O₃·2SiO₂·4,5H₂O₃
Princip fungování molekulárního síta souvisí hlavně s velikostí pórů molekulárního síta. Molekulové síto dokáže adsorbovat molekuly plynu, jejichž molekulární průměr je menší než velikost pórů, a čím větší je velikost pórů, tím větší je adsorpční kapacita. Velikost otvoru se liší a filtrované látky se liší. U molekulárního síta 4a musí být adsorbované molekuly menší než 0,4 nm.
Molekulární síta 4A se používají hlavně k sušení zemního plynu a různých chemických plynů a kapalin, chladiv, léčiv, elektronických dat a těkavých látek, k čištění argonu a k oddělování metanu, ethanu a propanu. Používají se hlavně k hlubokému sušení plynů a kapalin, jako je vzduch, zemní plyn, uhlovodíky a chladiva; k přípravě a čištění argonu; k statickému sušení elektronických součástek a materiálů podléhajících rychlé zkáze; k dehydrataci barev, polyesterů, barviv a nátěrů.

Molekulární síto typu 13X, také známé jako molekulové síto typu sodné X, je silikon alkalického kovu s určitými zásaditými vlastnostmi a patří do třídy pevných bází.
Jeho chemický vzorec je Na₂O·Al₂O₃·2,45SiO₂·6,0H₂O.
Velikost jeho pórů je 10 Å a adsorbuje jakoukoli molekulu větší než 3,64 Å a menší než 10 Å
13x se používá hlavně v:
1) Čištění plynu v zařízení pro separaci vzduchu za účelem odstranění vody a oxidu uhličitého.
2) Sušení a odsiřování zemního plynu, zkapalněného ropného plynu a kapalných uhlovodíků.
3) Obecné sušení v hlubokém plynu. Molekulární síto typu 13X, také známé jako molekulární síto typu X sodné, je oxid křemičitý alkalického kovu s určitými alkalickými vlastnostmi a patří do třídy pevných zásad.
Jeho chemický vzorec je Na₂O·Al₂O₃·2,45SiO₂·6,0H₂O.
Velikost jeho pórů je 10 Å a adsorbuje jakoukoli molekulu větší než 3,64 Å a menší než 10 Å
13x se používá hlavně v:
1) Čištění plynu v zařízení pro separaci vzduchu za účelem odstranění vody a oxidu uhličitého.
2) Sušení a odsiřování zemního plynu, zkapalněného ropného plynu a kapalných uhlovodíků.
3) Obecné hloubkové sušení plynem.